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Features:

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free, RoHS Compliant

Automotive Qualified

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	7600 pF V @ 50
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	170 A
Dimensions	10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.419" (10.66mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	300 W
Resistance, Drain to Source On	4.5 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	68 ns
Time, Turn-On Delay	29 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	180 nC V @ 10
Voltage, Drain to Source	75 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.19" (4.82mm)
关键词

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