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IRF1407PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 0.0078Ohm; ID 130A; TO-220AB; PD 330W; VGS +/-20

International Rectifier IRF1407PBF
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制造商产品编号：
IRF1407PBF
仓库库存编号：
70016943
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF1407PBF
库存编号:IRF1407PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB11009
1起订		1+
50+
100+
500+
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￥13.46
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF1407PBF
库存编号:IRF1407PBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF1407PBF)726
50起订		50+
60+
110+
250+
500+
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IRF1407PBF
库存编号:63J7199		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: 63J7199)0
1起订		1+
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100+
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￥35.62
￥18.65
￥15.95
￥14.79
￥14.66
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF1407PBF
库存编号:77798223		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
8起订		8+
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100+
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￥17.73
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1-2周询价 询价
IRF1407PBF
库存编号:87324367		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
266起订		266+
500+
1000+
￥18.95
￥18.12
￥17.11
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IRF1407PBF
库存编号:87324395		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
266起订		266+
500+
1000+
￥18.95
￥18.12
￥17.11
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF1407PBF
库存编号:8657424		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, TO-220 75V 130A1837
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF1407PBF
库存编号:IRF1407PBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 75V, 130A, 330W, TO220AB48
1起订		1+
10+
50+
100+
250+
2000+
￥33.59
￥27.45
￥22.87
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￥18.73
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IRF1407PBF产品概述

Specifically designed for Automotive applications, ID = 75A this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications. Features:
  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tj Max.
  • Lead-Free

    • IRF1407PBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  5600 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  130 A  
      Dimensions  10.67 x 4.83 x 16.51 mm  
      Gate Charge, Total  160 nC  
      Height  0.65" (16.51mm)  
      Length  0.42" (10.67mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-220AB  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  330 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.0078 Ω  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  150 ns  
      Time, Turn-On Delay  11 ns  
      Transconductance, Forward  74 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  160 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  75 V  
      Voltage, Drain to Source  75 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
      Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
      Width  0.19" (4.83mm)  
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Rectifier Current, Drain 130 A  MOSFET Transistors Current, Drain 130 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 130 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 160 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 160 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 330 W  International Rectifier Power Dissipation 330 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W   Resistance, Drain to Source On 0.0078 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.0078 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.0078 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.0078 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 150 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 150 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 150 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 150 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 74 S  International Rectifier Transconductance, Forward 74 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 74 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 74 S   Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 160 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 75 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Transistors Width 0.19" (4.83mm)  
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    IRF1407PBF
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    MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    IRF1407PBF
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    MOSFET MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC

    RoHS: Compliant

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    IRF1407PBF
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    Trans MOSFET N-CH Si 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    IRF1407PBF
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    Trans MOSFET N-CH 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF1407PBF)

    RoHS: Compliant

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    IRF1407PBF
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    Trans MOSFET N-CH 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF1407PBF)

    RoHS: Compliant

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    IRF1407PBF
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    Trans MOSFET N-CH 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF1407PBF)

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    IRF1407PBF
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    Trans MOSFET N-CH Si 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

    RoHS: Compliant

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    IRF1407PBF
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    Trans MOSFET N-CH Si 80V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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    MOSFET, N, 75V, 130A, TO-220

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    RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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    MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 75V, RDS(ON) 0.0078Ohm, ID 130A, TO-220AB, PD 330W, VGS +/-20

    RoHS: Compliant

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    IRF1407PBF
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    Transistor: N-MOSFET, unipolar, 75V, 130A, 330W, TO220AB, HEXFET?

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    IRF1407PBF
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    MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB

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    Infineon Technologies - IRF1407PBF - MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB    		Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
    详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB

    型号：IRF1407PBF
    仓库库存编号：IRF1407PBF-ND
    别名：*IRF1407PBF <br>SP001564238 <br>

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    制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
    IRF1407PBF
    INFINEON IRF1407PBF    		8657424

    INFINEON

    晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V

     (EN)    		搜索
    IRF1407PBF
    INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1407PBF    		2565822

    INTERNATIONAL RECTIFIER

    场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 130A, TO-220AB

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    International Rectifier - IRF1407PBF - VGS +/-20 PD 330W TO-220AB ID 130A RDS(ON) 0.0078Ohm VDSS 75V N-Ch MOSFET, Power|70016943 | ChuangWei Electronics    		International Rectifier
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 0.0078Ohm; ID 130A; TO-220AB; PD 330W; VGS +/-20

    型号：IRF1407PBF
    仓库库存编号：70016943

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    IRF1407PBF|International RectifierIRF1407PBF
    International Rectifier    		MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
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    IRF1407PBF|International RectifierIRF1407PBF
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    IRF1407PBF|International RectifierIRF1407PBF
    International Rectifier    		MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
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