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N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	2130 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	87 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Height	0.19" (4.83mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	79 W
Resistance, Drain to Source On	6.3 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	16 ns
Time, Turn-On Delay	13 ns
Transconductance, Forward	88 S
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 4.5 V
Voltage, Drain to Source	30 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.38" (9.65mm)
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• Cornell-Dubilier
  Capacitor; Al Electrolytic; 4700 uF; 20%; 25 VDC; Radial; ESR 0.08 Ohms; 18x35mm
  
  型号：SK472M025ST
  仓库库存编号：70186416
  
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Drain 87 A  MOSFET Transistors Current, Drain 87 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 87 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 79 W  International Rectifier Power Dissipation 79 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 79 W   Resistance, Drain to Source On 6.3 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 6.3 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 6.3 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 6.3 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET 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Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 88 S  International Rectifier Transconductance, Forward 88 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 88 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 88 S   Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 4.5 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)