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N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	3130 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	57 A
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Gate Charge, Total	34 nC
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Resistance, Drain to Source On	23 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	45 ns
Time, Turn-On Delay	12 ns
Transconductance, Forward	32 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 130 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.19" (4.83mm)
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• NTE Electronics, Inc.
  DIODE, SMALL SIGNAL; 200 MA @ +25C IF; 100 V (MIN.) @ 100 UA, +25C; DO-35
  
  型号：1N4148
  仓库库存编号：70214727
  
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Drain 57 A  MOSFET Transistors Current, Drain 57 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 57 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 34 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET 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Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 45 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 45 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 45 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 45 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 32 S  International Rectifier Transconductance, Forward 32 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 32 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 32 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 130 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 130 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 130 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 130 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)