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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	2900 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	59 A
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Gate Charge, Total	82 nC
Height	0.355" (9.02mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	160 W
Resistance, Drain to Source On	18 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	41 ns
Time, Turn-On Delay	17 ns
Transconductance, Forward	35 S
Typical Gate Charge @ Vgs	82 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.19" (4.83mm)
关键词

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Rectifier Current, Drain 59 A  MOSFET Transistors Current, Drain 59 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 59 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 82 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 82 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 82 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 82 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 160 W  International Rectifier Power Dissipation 160 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 160 W  International 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Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 41 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 41 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 41 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 41 ns   Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 17 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 17 ns   Transconductance, Forward 35 S  International Rectifier Transconductance, Forward 35 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 35 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 35 S   Typical Gate Charge @ Vgs 82 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 82 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 82 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 82 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)