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IRF3805SPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20

International Rectifier IRF3805SPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF3805SPBF
仓库库存编号:
70017274
技术数据表:
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IRF3805SPBF产品概述

Specifically designed for Automotive applications, ID = 75 A this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety
of other applications.

Features:
  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed Up to Tj Max.
  • Lead-Free
  • IRF3805SPBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  7960 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  210 A  
      Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
      Gate Charge, Total  190 nC  
      Height  0.19" (4.83mm)  
      Length  0.42" (10.67mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  D2PAK  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  300 W  
      Resistance, Drain to Source On  3.3 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  93 ns  
      Time, Turn-On Delay  150 ns  
      Transconductance, Forward  75 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  190 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain 210 A  MOSFET Transistors Current, Drain 210 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 210 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 190 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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