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HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1200 pF @ -25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	-31 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Gate Charge, Total	63 nC
Height	0.19" (4.83mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	110 W
Resistance, Drain to Source On	0.06 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	39 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	8 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 63 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-55 V
Voltage, Drain to Source	-55 V
Voltage, Forward, Diode	-1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.38" (9.65mm)
关键词

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Rectifier Current, Drain -31 A  MOSFET Transistors Current, Drain -31 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -31 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 63 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 110 W  International Rectifier Power Dissipation 110 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W   Resistance, Drain to Source On 0.06 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.06 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.06 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.06 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 39 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 63 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 63 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 63 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 63 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V   Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V   Voltage, Forward, Diode -1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)