关于我们 | 联系我们

库存查询

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1960 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	33 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Gate Charge, Total	71 nC
Height	0.19" (4.83mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	130 W
Resistance, Drain to Source On	44 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	39 ns
Time, Turn-On Delay	11 ns
Transconductance, Forward	21 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 71 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.38" (9.65mm)
关键词

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1960 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 1960 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1960 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1960 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 33 A  International Rectifier Current, Drain 33 A  MOSFET Transistors Current, Drain 33 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 33 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 71 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 71 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 71 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 71 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 130 W  International Rectifier Power Dissipation 130 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 130 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 130 W   Resistance, Drain to Source On 44 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 44 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 44 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 44 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 39 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, Forward 21 S  International Rectifier Transconductance, Forward 21 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 21 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 21 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 71 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 71 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 71 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 71 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)