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N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1770 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	36 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Height	0.19" (4.83mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	92 W
Resistance, Drain to Source On	26.5 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	43 ns
Time, Turn-On Delay	15 ns
Transconductance, Forward	36 V
Typical Gate Charge @ Vgs	42 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.38" (9.65mm)
关键词

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Drain 36 A  MOSFET Transistors Current, Drain 36 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 36 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 92 W  International Rectifier Power Dissipation 92 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 92 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 92 W   Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 26.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)