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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1160 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	18 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Gate Charge, Total	67 nC
Height	0.19" (4.83mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	150 W
Resistance, Drain to Source On	0.15 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case	1 °C/W
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	23 ns
Time, Turn-On Delay	10 ns
Transconductance, Forward	6.8 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 67 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Voltage, Drain to Source	200 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.38" (9.65mm)
关键词

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Drain 18 A  MOSFET Transistors Current, Drain 18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 18 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 67 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 67 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 150 W  International Rectifier Power Dissipation 150 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 150 W   Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.15 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 1 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 23 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 23 ns   Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns   Transconductance, Forward 6.8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 6.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6.8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 6.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 67 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)