amphenol代理商
专业销售Amphenol（安费诺）全系列产品-英国2号仓库
库存查询
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRF7103PBF - 

IRF7103PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 50 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF7103PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF7103PBF
仓库库存编号：
70016975
技术数据表：
View IRF7103PBF Datasheet Datasheet
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRF7103PBF产品概述

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Surface Mount
  • Available in Tape and reel
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Lead-Free

    • IRF7103PBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  290 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Quad Drain, Triple Source  
      Current, Drain  3 A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.5 mm  
      Gate Charge, Total  12 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  2 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.2 Ω  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  70 ns  
      Time, Turn-On Delay  9 ns  
      Transconductance, Forward  3.8 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  12 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  50 V  
      Voltage, Drain to Source  50 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.157" (4mm)  
    关键词         

    IRF7103PBF相关搜索

    Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 290 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 290 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 290 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 290 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier Configuration Quad Drain, Triple Source  MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source   Current, Drain 3 A  International Rectifier Current, Drain 3 A  MOSFET Transistors Current, Drain 3 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 3 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.5 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.5 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.5 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.5 mm   Gate Charge, Total 12 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 12 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 12 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 12 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W   Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.2 Ω   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W   Time, Turn-Off Delay 70 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 70 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 70 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 70 ns   Time, Turn-On Delay 9 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 9 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9 ns   Transconductance, Forward 3.8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 3.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 50 V   Voltage, Drain to Source 50 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 50 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 50 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
    电话:400-900-3095
    QQ:800152669
    关于我们 | Amphenol简介 | Amphenol产品 | Amphenol产品应用 | Amphenol动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | Amphenol选型手册 | 付款方式 | 联系我们
    Copyright © 2017 www.amphenol-connect.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号