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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	550 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	7.3 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	19 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Resistance, Drain to Source On	0.05 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	21 ns
Time, Turn-On Delay	7 ns
Transconductance, Forward	5.8 S
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Voltage, Drain to Source	30 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

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Triple Source   Current, Drain 7.3 A  International Rectifier Current, Drain 7.3 A  MOSFET Transistors Current, Drain 7.3 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 7.3 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 19 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 19 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 19 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 19 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 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°C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 21 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 21 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 21 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 21 ns   Time, Turn-On Delay 7 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7 ns   Transconductance, Forward 5.8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 5.8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 5.8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 5.8 S   Typical Gate Charge @ Vgs 19 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 19 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 19 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 19 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 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