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HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	9250 pF @ -25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	-10.5 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	73 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Resistance, Drain to Source On	0.025 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	210 ns
Time, Turn-On Delay	52 ns
Transconductance, Forward	17 S
Typical Gate Charge @ Vgs	73 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-40 V
Voltage, Drain to Source	-40 V
Voltage, Forward, Diode	-1.2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

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• 操作

• 
  
• TE Connectivity
  Header, Friction Lock; MTA-100; 2; 250 VAC; Polyester; Tin; Copper Alloy; Tin
  
  型号：640456-2
  仓库库存编号：70083642
  
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Dissipation 2.5 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W   Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 210 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 210 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 210 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 210 ns   Time, Turn-On Delay 52 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 52 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 52 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 52 ns   Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier Transconductance, Forward 17 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 17 S   Typical Gate Charge @ Vgs 73 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 73 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 73 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 73 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -40 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -40 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -40 V   Voltage, Drain to Source -40 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -40 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -40 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -40 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International 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