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HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	3450 pF @ -10 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Source, Quad Drain
Current, Drain	-9.2 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	38 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	Dual P-Channel
Power Dissipation	2 W
Resistance, Drain to Source On	30 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	340 ns
Time, Turn-On Delay	10 ns
Transconductance, Forward	25 S
Typical Gate Charge @ Vgs	38 nC @ -4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-12 V
Voltage, Drain to Source	-12 V
Voltage, Forward, Diode	-1.2 V
Voltage, Gate to Source	±8 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

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Source, Quad Drain   Current, Drain -9.2 A  International Rectifier Current, Drain -9.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 38 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 38 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 38 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 38 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization Dual P-Channel  International Rectifier Polarization Dual P-Channel  MOSFET Transistors Polarization Dual P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization Dual P-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W   Resistance, Drain to Source On 30 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 30 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 30 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 30 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 340 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 340 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 340 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 340 ns   Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 10 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 10 ns   Transconductance, Forward 25 S  International Rectifier Transconductance, Forward 25 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 25 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 25 S   Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ -4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V   Voltage, Drain to Source -12 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -12 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -12 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±8 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±8 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±8 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±8 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)