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IRF7341TRPBF - 

IRF7341TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 55 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF7341TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF7341TRPBF
仓库库存编号：
70017698
技术数据表：
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IRF7341TRPBF产品概述

  • Generation V Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Surface Mount
  • Available in Tape & Reel
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Lead-Free

    • IRF7341TRPBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  780 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  5.1 A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
      Gate Charge, Total  24 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  2.4 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.065 Ω  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  31 ns  
      Time, Turn-On Delay  9.2 ns  
      Transconductance, Forward  10.4 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  29 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Drain to Source  55 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.157" (4mm)  
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Rectifier Current, Drain 5.1 A  MOSFET Transistors Current, Drain 5.1 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 5.1 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 24 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 24 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 24 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET 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Dissipation 2.4 W   Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W   Time, Turn-Off Delay 31 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 31 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 31 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 31 ns   Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 9.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 9.2 ns   Transconductance, Forward 10.4 S  International Rectifier Transconductance, Forward 10.4 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 10.4 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 10.4 S   Typical Gate Charge @ Vgs 29 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 29 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 29 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 29 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET 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