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IRF7404TRPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.04Ohm; ID -6.7A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V

International Rectifier IRF7404TRPBF
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制造商产品编号：
IRF7404TRPBF
仓库库存编号：
70017702
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF7404TRPBF产品概述

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRF7404TRPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1500 pF @ -15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  -6.7 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  50 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.06 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  50 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  100 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  6.8 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 50 nC @ -4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -20 V  
  Voltage, Drain to Source  -20 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±12 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain -6.7 A  International Rectifier Current, Drain -6.7 A  MOSFET Transistors Current, Drain -6.7 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -6.7 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 50 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 50 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 50 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 50 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power 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Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 50 nC @ -4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 50 nC @ -4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 50 nC @ -4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 50 nC @ -4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -20 V   Voltage, Drain to Source -20 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -20 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -20 V   Voltage, Forward, Diode -1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1 V   Voltage, Gate to 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