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P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	8676 pF @ -10 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	-16 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	91 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Resistance, Drain to Source On	13 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	271 ns
Time, Turn-On Delay	13 ns
Transconductance, Forward	55 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 91 nC @ -4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-12 V
Voltage, Drain to Source	-12 V
Voltage, Forward, Diode	-1.2 V
Voltage, Gate to Source	±8 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

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Drain, Triple Source   Current, Drain -16 A  International Rectifier Current, Drain -16 A  MOSFET Transistors Current, Drain -16 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -16 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 91 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 91 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 91 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 91 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface 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Dissipation 2.5 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W   Resistance, Drain to Source On 13 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 13 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 13 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 13 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 271 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 271 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 271 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 271 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 55 S  International Rectifier Transconductance, Forward 55 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 55 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 55 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 91 nC @ -4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 91 nC @ -4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 91 nC @ -4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 91 nC @ -4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -12 V   Voltage, Drain to Source -12 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -12 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -12 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -12 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±8 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±8 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±8 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±8 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)