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IRF7455PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID 15A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V; gFS 4

International Rectifier IRF7455PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF7455PBF
仓库库存编号：
70016995
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF7455PBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF7455PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  3480 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  15 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  37 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.5 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.02 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  51 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  44 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  37 nC @ 5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.2 V  
  Voltage, Gate to Source  ±12 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain 15 A  International Rectifier Current, Drain 15 A  MOSFET Transistors Current, Drain 15 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 15 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 37 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 37 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 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