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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1740 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	7 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	21 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Resistance, Drain to Source On	30 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	44 ns
Time, Turn-On Delay	7.7 ns
Transconductance, Forward	17 S
Typical Gate Charge @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Voltage, Drain to Source	60 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
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• 
  
• VCC (Visual Communications Company)
  Indicator, PCB, LED, T 3/4, Red, 2.2 V, 5 mcd
  
  型号：5370T1
  仓库库存编号：70129923
  
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• 搜索

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• VCC (Visual Communications Company)
  Indicator, PCB, LED, T 3/4, Red, 2.2 V, 5 mcd
  
  型号：5370T1
  仓库库存编号：70129923
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1740 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 1740 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1740 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1740 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier Configuration Quad Drain, Triple Source  MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Quad Drain, Triple Source   Current, Drain 7 A  International Rectifier Current, Drain 7 A  MOSFET Transistors Current, Drain 7 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 7 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 21 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 21 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 21 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 21 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International 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V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V   Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)