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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	260 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	2.4 A
Dimensions	3.05 x 3.05 x 0.91 mm
Height	0.036" (0.91mm)
Length	0.12" (3.05mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	1.25 W
Resistance, Drain to Source On	0.2 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	15 ns
Time, Turn-On Delay	5.7 ns
Transconductance, Forward	2.6 sec
Typical Gate Charge @ Vgs	5.3 nC @ 4.5 V
Voltage, Drain to Source	20 V
Voltage, Forward, Diode	1.2 V
Voltage, Gate to Source	±12 V
Width	0.12" (3.05mm)
关键词

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Triple Source   Current, Drain 2.4 A  International Rectifier Current, Drain 2.4 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.4 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.4 A   Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm  International Rectifier Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.05 x 3.05 x 0.91 mm   Height 0.036" (0.91mm)  International Rectifier Height 0.036" (0.91mm)  MOSFET Transistors Height 0.036" (0.91mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.036" (0.91mm)   Length 0.12" (3.05mm)  International Rectifier Length 0.12" (3.05mm)  MOSFET Transistors Length 0.12" (3.05mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.12" (3.05mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements 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Transistors Time, Turn-On Delay 5.7 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.7 ns   Transconductance, Forward 2.6 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 2.6 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.6 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.6 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 5.3 nC @ 4.5 V   Voltage, Drain to Source 20 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 20 V   Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, 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