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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1801 pF @ 10 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	11.8 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	17 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	3 W
Resistance, Drain to Source On	14 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	43 ns
Time, Turn-On Delay	8.6 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 5.0 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Voltage, Drain to Source	30 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
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• Tadiran
  Battery; Non-Rechargeable; AA; Lithium; 3.6VDC; 2.1Ah; Solder Tab; TL Series
  
  型号：TL-2100/T
  仓库库存编号：70102878
  
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Drain, Triple Source   Current, Drain 11.8 A  International Rectifier Current, Drain 11.8 A  MOSFET Transistors Current, Drain 11.8 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 11.8 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 17 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 3 W  International Rectifier Power Dissipation 3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 3 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 3 W   Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 43 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns   Time, Turn-On Delay 8.6 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 8.6 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.6 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.6 ns   Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)