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IRF7811AVTRPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 11 Milliohms; ID 10.8A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20

International Rectifier IRF7811AVTRPBF
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制造商产品编号：
IRF7811AVTRPBF
仓库库存编号：
70017450
技术数据表：
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7811AVTRPBF
库存编号:IRF7811AVPBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO0
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IRF7811AVTRPBF
库存编号:IRF7811AVPBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO0
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IRF7811AVTRPBF
库存编号:IRF7811AVPBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO0
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IRF7811AVTRPBF-1
库存编号:448-IRF7811AVTRPBF-1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7811AVTRPBF
库存编号:IRF7811AVTRPBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 14A, 3.5W, SO80
4000起订		4000+
￥4.34
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF7811AVTRPBF International Rectifier 10.8 A, 30 V, 0.014 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA3433
1起订		1+
415+
1856+
￥18.93
￥7.89
￥6.94
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IRF7811AVTRPBF International Rectifier 10.8 A, 30 V, 0.014 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA872
1起订		1+
71+
387+
￥31.55
￥9.47
￥8.21
1-3周购买 购买
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IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies AG 10.8 A, 30 V, 0.014 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA106
1起订		1+
23+
105+
￥21.03
￥10.52
￥6.31
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IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies AG 10.8 A, 30 V, 0.014 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA16
1起订		1+
4+
15+
￥31.55
￥25.24
￥18.93
1-3周购买 购买
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IRF7811AVTRPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1801 pF @ 10 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Quad Drain, Triple Source  
  Current, Drain  11.8 A  
  Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
  Gate Charge, Total  17 nC  
  Height  0.059" (1.5mm)  
  Length  0.196" (5mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  8  
  Package Type  SO-8  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  3 W  
  Resistance, Drain to Source On  14 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  43 ns  
  Time, Turn-On Delay  8.6 ns  
  Typical Gate Charge @ Vgs  17 nC @ 5.0 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.157" (4mm)  
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Drain, Triple Source   Current, Drain 11.8 A  International Rectifier Current, Drain 11.8 A  MOSFET Transistors Current, Drain 11.8 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 11.8 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 17 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 3 W  International Rectifier Power Dissipation 3 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 3 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 3 W   Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 14 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 43 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns   Time, Turn-On Delay 8.6 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 8.6 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.6 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.6 ns   Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 5.0 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
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IRF7811AVTRPBF
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MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF7811AVTRPBF
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MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

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MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

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MOSFET MOSFT 30V 14A 14mOhm 17nC

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MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R - Cut TR (SOS) (Alt: IRF7811AVTRPBF/BKN)

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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7811AVTRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF7811AVTRPBF)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7811AVTRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SO T/R (Alt: IRF7811AVTRPBF-1)

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IRF7811AVTRPBF-1
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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SO T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7811AVTRPBF-1)

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Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R

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MOSFET, N-CH, 30V, 10.8A, SOIC

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IRF7811AVTRPBF
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Single N-Channel 30 V 14 mOhm 17 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single N-Channel 30 V 14 mOhm 17 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 11 Milliohms, ID 10.8A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20

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IRF7811AVTRPBF
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MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7811AVTRPBF
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MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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IRF7811AVTRPBF|International RectifierIRF7811AVTRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
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International Rectifier - IRF7811AVTRPBF - VGS +/-20 PD 2.5W SO-8 ID 10.8A RDS(ON) 11 Milliohms VDSS 30V N-Ch MOSFET, Power|70017450 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 11 Milliohms; ID 10.8A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20

型号：IRF7811AVTRPBF
仓库库存编号：70017450

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IRF7811AVTRPBF|International RectifierIRF7811AVTRPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
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International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
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IRF7811AVTRPBF
INFINEON IRF7811AVTRPBF		2725917

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V

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Infineon Technologies - IRF7811AVTRPBF - MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

型号：IRF7811AVTRPBF
仓库库存编号：IRF7811AVPBFCT-ND
别名：*IRF7811AVTRPBF <br>IRF7811AVPBFCT <br>

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