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N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	4310 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	20 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total	34 nC
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Resistance, Drain to Source On	4.8 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+155 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +155 °C
Time, Turn-Off Delay	21 ns
Time, Turn-On Delay	12 ns
Transconductance, Forward	77 S
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Voltage, Drain to Source	30 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

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Drain, Triple Source   Current, Drain 20 A  International Rectifier Current, Drain 20 A  MOSFET Transistors Current, Drain 20 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 20 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 34 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 34 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International 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°C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +155 °C   Time, Turn-Off Delay 21 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 21 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 21 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 21 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 77 S  International Rectifier Transconductance, Forward 77 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 77 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 77 S   Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 34 nC @ 4.5 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 30 V   Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 30 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)