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P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1110 pF @ -25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Current, Drain	-9.2 A
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Height	0.059" (1.5mm)
Length	0.196" (5mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2.5 W
Resistance, Drain to Source On	32.5 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	55 ns
Time, Turn-On Delay	16 ns
Transconductance, Forward	13 S
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V
Voltage, Drain to Source	-30 V
Voltage, Forward, Diode	-1.2 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.157" (4mm)
关键词

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Drain, Triple Source   Current, Drain -9.2 A  International Rectifier Current, Drain -9.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -9.2 A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier Power Dissipation 2.5 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.5 W   Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 32.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 55 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 55 ns   Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 16 ns   Transconductance, Forward 13 S  International Rectifier Transconductance, Forward 13 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 13 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 13 S   Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 14 nC @ -4.5 V, 25 nC @ -10 V   Voltage, Drain to Source -30 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -30 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -30 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -30 V   Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.2 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.2 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.157" (4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)