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IRF9952TRPBF - 

IRF9952TRPBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 3.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC

International Rectifier IRF9952TRPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF9952TRPBF
仓库库存编号：
70017732
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF9952TRPBF产品概述

  • Generation V Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Dual N and P Channel MOSFET
  • Surface Mount
  • Very Low Gate Charge and Switching Losses
  • Fully Avalanche Rated
  • Lead-Free

    • IRF9952TRPBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  190 pF @ -15 V (P), 190 pF @ 15 V (N)  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N, P  
      Configuration  Dual Drain  
      Current, Drain  -2.3 (P), 3.5 (N) A  
      Dimensions  5.00 x 4.00 x 1.50 mm  
      Gate Charge, Total  6.9/6.1 nC  
      Height  0.059" (1.5mm)  
      Length  0.196" (5mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  2  
      Number of Pins  8  
      Package Type  SO-8  
      Polarization  N-Channel and P-Channel  
      Power Dissipation  2 W  
      Resistance, Drain to Source On  0.15 (N), 0.400 (P) mΩ  
      Temperature, Operating  -55 to 150 °C  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 °C/W  
      Time, Turn-Off Delay  13 (N), 20 (P) ns  
      Time, Turn-On Delay  6.2 (N), 9.7 (P) ns  
      Transconductance, Forward  12 (N), 2.4 (P) S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  6.1 nC @ -10 V (P), 6.9 nC @ 10 V (N)  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  30/-30 V  
      Voltage, Drain to Source  -30 (P), 30 (N) V  
      Voltage, Forward, Diode  0.82/-0.82 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.157" (4mm)  
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Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain -2.3 (P), 3.5 (N) A  International Rectifier Current, Drain -2.3 (P), 3.5 (N) A  MOSFET Transistors Current, Drain -2.3 (P), 3.5 (N) A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -2.3 (P), 3.5 (N) A   Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 5.00 x 4.00 x 1.50 mm   Gate Charge, Total 6.9/6.1 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 6.9/6.1 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 6.9/6.1 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 6.9/6.1 nC   Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier Height 0.059" (1.5mm)  MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.059" (1.5mm)   Length 0.196" (5mm)  International Rectifier Length 0.196" (5mm)  MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.196" (5mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type SO-8  International Rectifier Package Type SO-8  MOSFET Transistors Package Type SO-8  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SO-8   Polarization N-Channel and P-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel and P-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel and P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel and P-Channel   Power Dissipation 2 W  International Rectifier Power Dissipation 2 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2 W   Resistance, Drain to Source On 0.15 (N), 0.400 (P) mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.15 (N), 0.400 (P) mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.15 (N), 0.400 (P) mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.15 (N), 0.400 (P) mΩ   Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier Temperature, Operating -55 to 150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating -55 to 150 °C   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 °C/W   Time, Turn-Off Delay 13 (N), 20 (P) ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 13 (N), 20 (P) ns  MOSFET 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(4mm)  International Rectifier Width 0.157" (4mm)  MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.157" (4mm)  
    电话:400-900-3095
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