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IRF9Z34NPBF - 

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID -19A; TO-220AB; PD 68W; VGS +/-20V

International Rectifier IRF9Z34NPBF
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制造商产品编号:
IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:
70017018
技术数据表:
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB69105
1起订
1+
50+
100+
500+
1000+
2000+
¥14.83
¥7.01
¥14.83
¥4.9
¥4.46
¥4.36
6-10天购买 购买
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
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(工作日)
操作
IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC9828
1起订
1+
10+
100+
500+
1000+
¥11.11
¥5.58
¥5.06
¥4.34
¥4.13
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(工作日)
操作
IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG MOSFET16688
5起订
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IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF9Z34NPBF)0
50起订
50+
60+
110+
250+
500+
¥4.9
¥4.87
¥4.85
¥4.82
¥3.47
1-2周询价 询价
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IRF9Z34NPBFInfineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube16688
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IRF9Z34NPBFInfineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube15000
1000起订
1000+
2000+
¥4.1
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IRF9Z34NPBFInfineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube8168
22起订
22+
50+
100+
500+
1000+
2000+
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¥5.38
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)
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IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG , MOSFET, P, TO-220 -55V -17A18320
1起订
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¥8.31
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  英国7号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, TO220AB0
1起订
1+
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
1250+
¥10.07
¥6.27
¥6.04
¥5.14
¥4.79
¥4.44
¥4.25
¥4.24
1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
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(工作日)
操作
IRF9Z34NPBF International Rectifier 19 A, 55 V, 0.1 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB440
1起订
1+
30+
117+
¥15.78
¥9.47
¥7.89
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IRF9Z34NPBF International Rectifier 19 A, 55 V, 0.1 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB35
1起订
1+
6+
25+
¥19.24
¥15.39
¥11.55
1-3周购买 购买
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IRF9Z34NPBF International Rectifier 19 A, 55 V, 0.1 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB31
1起订
1+
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¥9.47
¥7.89
1-3周购买 购买
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IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG 19 A, 55 V, 0.1 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB25
1起订
1-3周询价 询价
IRF9Z34NPBF International Rectifier 19 A, 55 V, 0.1 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB17
1起订
1+
3+
13+
¥38.41
¥30.73
¥23.05
1-3周购买 购买
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IRF9Z34NPBF Infineon Technologies AG 19 A, 55 V, 0.1 OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB6
1起订
1+
6+
¥19.21
¥15.37
1-3周购买 购买
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IRF9Z34NPBF产品概述

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF9Z34NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  P  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  -19 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 15.24 mm  
  Gate Charge, Total  35 nC  
  Length  0.414" (10.54mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  P-Channel  
  Power Dissipation  68 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.1 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Time, Turn-Off Delay  30 ns  
  Time, Turn-On Delay  13 ns  
  Transconductance, Forward  4.2 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 35 nC @ -10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  -55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  -1.6 V  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  International Rectifier Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain -19 A  International Rectifier Current, Drain -19 A  MOSFET Transistors Current, Drain -19 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -19 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 15.24 mm   Gate Charge, Total 35 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 35 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 35 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 35 nC   Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier Length 0.414" (10.54mm)  MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.414" (10.54mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 68 W  International Rectifier Power Dissipation 68 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 68 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 68 W   Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 30 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 30 ns   Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 13 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 13 ns   Transconductance, Forward 4.2 S  International Rectifier Transconductance, Forward 4.2 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 4.2 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 4.2 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 35 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 35 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 35 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 35 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.6 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.6 V  
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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC

RoHS: Compliant

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant | pbFree: No

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF9Z34NPBF)

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF9Z34NPBF)

RoHS: Compliant

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF9Z34NPBF)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant

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IRF9Z34NPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -55V, RDS(ON) 0.1Ohm, ID -19A, TO-220AB, PD 68W, VGS +/-20V

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NPBF
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International Rectifier

19 A, 55 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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IRF9Z34NPBF|International RectifierIRF9Z34NPBF
International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
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IRF9Z34NPBF|International RectifierIRF9Z34NPBF
International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
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IRF9Z34NPBF|International RectifierIRF9Z34NPBF
International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF9Z34NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
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Infineon - IRF9Z34NPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4867
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International Rectifier - IRF9Z34NPBF - VGS +/-20V PD 68W TO-220AB ID -19A RDS(ON) 0.1Ohm VDSS -55V P-Ch MOSFET, Power|70017018 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID -19A; TO-220AB; PD 68W; VGS +/-20V


型号:IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:70017018

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Infineon Technologies - IRF9Z34NPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB

详细描述:通孔 P 沟道 19A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB

型号:IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:IRF9Z34NPBF-ND
别名:*IRF9Z34NPBF
SP001560182
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IR - IRF9Z34NPBF - MOSFET P, -55 V -19 A 68 W TO-220AB, IRF9Z34NPBF, IR
IR
MOSFET P, -55 V -19 A 68 W TO-220AB, IRF9Z34NPBF, IR


型号:IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:171-37-458

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IRF9Z34NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9Z34NPBF
2565842

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-220AB

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IRF9Z34NPBF
INFINEON IRF9Z34NPBF
8648689

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, 17 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 V

(EN)
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电话:400-900-3095
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