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IRFB23N20DPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.1Ohm; ID 24A; TO-220AB; PD 170W; VGS +/-30V

International Rectifier IRFB23N20DPBF
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制造商产品编号：
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号：
70017019
技术数据表：
View IRFB23N20DPBF Datasheet Datasheet
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFB23N20DPBF产品概述

HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

IRFB23N20DPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1960 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  24 A  
  Dimensions  10.54 x 4.69 x 8.77 mm  
  Gate Charge, Total  57 nC  
  Height  0.345" (8.77mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  170 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.1 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.9 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  26 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  13 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  57 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±30 V  
  Width  0.185" (4.69mm)  
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Rectifier Current, Drain 24 A  MOSFET Transistors Current, Drain 24 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 24 A   Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  International Rectifier Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.54 x 4.69 x 8.77 mm   Gate Charge, Total 57 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 57 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 57 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 57 nC   Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier Height 0.345" (8.77mm)  MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.345" (8.77mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 170 W  International Rectifier Power Dissipation 170 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 170 W   Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.1 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source 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Transistors Width 0.185" (4.69mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.185" (4.69mm)  
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