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Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1200 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	18 A
Dimensions	10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.419" (10.66mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	100 W
Resistance, Drain to Source On	100 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	16 ns
Time, Turn-On Delay	7.8 ns
Transconductance, Forward	24 S
Typical Gate Charge @ Vgs	18 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	200 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.19" (4.82mm)
关键词

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Drain 18 A  MOSFET Transistors Current, Drain 18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 18 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 100 W  International Rectifier Power Dissipation 100 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 100 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 100 W   Resistance, Drain to Source On 100 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 100 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 100 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 100 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 16 ns   Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.8 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns   Transconductance, Forward 24 S  International Rectifier Transconductance, Forward 24 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 S   Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.82mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)