amphenol代理商
专业销售Amphenol(安费诺)全系列产品-英国2号仓库
库存查询
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:  Connectors  8910DPA43V02  Amphenol  UVZSeries 160VDC  70084122  IM21-14-CDTRI

IRFB4020PBF - 

MOSFET, N Ch., Digital Audio, 200V, 18A, 100 MOHM, 18 NC QG, TO-220AB, Pb-Free

International Rectifier IRFB4020PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFB4020PBF
仓库库存编号:
70017969
技术数据表:
View IRFB4020PBF Datasheet Datasheet
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IRFB4020PBF产品概述

Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

IRFB4020PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1200 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  18 A  
  Dimensions  10.66 x 4.82 x 16.51 mm  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.419" (10.66mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Power Dissipation  100 W  
  Resistance, Drain to Source On  100 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  16 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.8 ns  
  Transconductance, Forward  24 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  18 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.82mm)  
关键词         

IRFB4020PBF相关搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1200 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 1200 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1200 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1200 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 18 A  International Rectifier Current, Drain 18 A  MOSFET Transistors Current, Drain 18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 18 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 100 W  International Rectifier Power Dissipation 100 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 100 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 100 W   Resistance, Drain to Source On 100 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 100 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 100 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 100 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 16 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 16 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 16 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 16 ns   Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.8 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns   Transconductance, Forward 24 S  International Rectifier Transconductance, Forward 24 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 24 S   Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 18 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.82mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
关于我们 | Amphenol简介 | Amphenol产品 | Amphenol产品应用 | Amphenol动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | Amphenol选型手册 | 付款方式 | 联系我们
Copyright © 2017 www.amphenol-connect.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号