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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	5270 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	104 A
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	380 W
Resistance, Drain to Source On	11 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	41 ns
Time, Turn-On Delay	18 ns
Transconductance, Forward	97 S
Typical Gate Charge @ Vgs	77 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	150 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.19" (4.83mm)
关键词

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Drain 104 A  MOSFET Transistors Current, Drain 104 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 104 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 16.51 mm   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Power Dissipation 380 W  International Rectifier Power Dissipation 380 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W   Resistance, Drain to Source On 11 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 11 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 11 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 11 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 18 ns   Transconductance, Forward 97 S  International Rectifier Transconductance, Forward 97 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 97 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 97 S   Typical Gate Charge @ Vgs 77 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 77 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 77 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 77 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)