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IRFB4212PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 58Milliohms; ID 18A; TO-220AB; PD 60W; gFS 11S

International Rectifier IRFB4212PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFB4212PBF
仓库库存编号：
70017254
技术数据表：
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IRFB4212PBF产品概述

Digital Audio MOSFET, Infineon

Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

IRFB4212PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  550 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  18 A  
  Dimensions  10.66 x 4.82 x 16.51 mm  
  Gate Charge, Total  15 nC  
  Height  0.65" (16.51mm)  
  Length  0.419" (10.66mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  60 W  
  Resistance, Drain to Source On  72.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  14 ns  
  Time, Turn-On Delay  7.7 ns  
  Transconductance, Forward  11 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  15 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Drain to Source  100 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.19" (4.82mm)  
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Drain 18 A  MOSFET Transistors Current, Drain 18 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 18 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 15 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 15 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 15 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 15 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 60 W  International Rectifier Power Dissipation 60 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 60 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 60 W   Resistance, Drain to Source On 72.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 72.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 72.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 72.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET 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