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Brand/Series	HEXFET Series
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	85 A
Dimensions	10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Length	0.419" (10.66mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	350 W
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Time, Turn-On Delay	18 ns
Transconductance, Forward	130 S
Typical Gate Charge @ Vgs	71 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	150 V
关键词

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