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IRFHM4226TRPBF - 

MOSFET, 25V, 40A, 2.2m?, 17nC, PQFN3.3x3.3 single

International Rectifier IRFHM4226TRPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFHM4226TRPBF
仓库库存编号:
70394801
技术数据表:
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IRFHM4226TRPBF产品概述

IR's FastIRFET™ family offers benchmark performance with best in-class R*Q figure of merit. The family features optimized packaging tailored to application requirements for size reduction. Ideal for high frequency applications requiring low switching loss or high light load efficiency. Excellent choices for DC-DC and POL cutting edge applications, such as base station power amplifiers, high performance DC-DC bricks, Platinum+ power supplies and high end battery driven motors.

Features:
  • Low RDSon (<2.2 mΩ)
  • Low Charge (Typical 16 nC)
  • Low Thermal Resistance to PCB (<3.2°C/W)
  • Low Profile (<0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant, Halogen-Free
  • MSL1
  • IRFHM4226TRPBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  nC  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  28 A  
      Dimensions  3.3 x 3.3 x 0.9 mm  
      Height  0.035" (0.9mm)  
      Length  0.129" (3.3mm)  
      Mounting Type  Surface Mount  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  8  
      Package Type  PQFN  
      Power Dissipation  2.7 W  
      Resistance, Drain to Source On  2.2 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
      Time, Turn-Off Delay  14 ns  
      Time, Turn-On Delay  11 ns  
      Transconductance, Forward  136 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  16  
      Voltage, Drain to Source  25 V  
      Voltage, Forward, Diode  1 V  
      Voltage, Gate to Source  ±20 V  
      Width  0.13" (3.3mm)  
    关键词         

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Drain 28 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 28 A   Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm  International Rectifier Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm  MOSFET Transistors Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 3.3 x 3.3 x 0.9 mm   Height 0.035" (0.9mm)  International Rectifier Height 0.035" (0.9mm)  MOSFET Transistors Height 0.035" (0.9mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.035" (0.9mm)   Length 0.129" (3.3mm)  International Rectifier Length 0.129" (3.3mm)  MOSFET Transistors Length 0.129" (3.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.129" (3.3mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 8  International Rectifier Number of Pins 8  MOSFET Transistors Number of Pins 8  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 8   Package Type PQFN  International Rectifier Package Type PQFN  MOSFET Transistors Package Type PQFN  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type PQFN   Power Dissipation 2.7 W  International Rectifier Power Dissipation 2.7 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.7 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.7 W   Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 2.2 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 14 ns   Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 11 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 11 ns   Transconductance, 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