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N-Channel Power MOSFET 60A to 79A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	4000 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	64 A
Dimensions	10.75 x 4.83 x 9.80 mm
Gate Charge, Total	170 nC
Height	0.386" (9.8mm)
Length	0.423" (10.75mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	63 W
Resistance, Drain to Source On	0.008 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	43 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	42 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 170 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Voltage, Drain to Source	55 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.19" (4.83mm)
关键词

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Drain 64 A  MOSFET Transistors Current, Drain 64 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 64 A   Dimensions 10.75 x 4.83 x 9.80 mm  International Rectifier Dimensions 10.75 x 4.83 x 9.80 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.75 x 4.83 x 9.80 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.75 x 4.83 x 9.80 mm   Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 170 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC   Height 0.386" (9.8mm)  International Rectifier Height 0.386" (9.8mm)  MOSFET Transistors Height 0.386" (9.8mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.386" (9.8mm)   Length 0.423" (10.75mm)  International Rectifier Length 0.423" (10.75mm)  MOSFET Transistors Length 0.423" (10.75mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.423" (10.75mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 63 W  International Rectifier Power Dissipation 63 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 63 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 63 W   Resistance, Drain to Source On 0.008 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.008 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.008 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.008 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 43 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 43 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 42 S  International Rectifier Transconductance, Forward 42 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 42 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 42 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 170 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 170 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 170 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 170 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)