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Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1125 pF @ 15 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual
Current, Drain	8.7 A
Dimensions	10.63 x 4.83 x 9.80 mm
Gate Charge, Total	13 nC
Height	0.386" (9.8mm)
Length	0.418" (10.63mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	5
Package Type	TO-220 Full-Pak
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	18 W
Resistance, Drain to Source On	95 mΩ
Temperature, Operating	-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient	65 °C/W
Time, Turn-Off Delay	13 ns
Time, Turn-On Delay	7 ns
Transconductance, Forward	11 S
Typical Gate Charge @ Vgs	13 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	150 V
Voltage, Drain to Source	150 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.19" (4.83mm)
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• Cornell-Dubilier
  Capacitor; Polyester Metallized; Radial; 2.2uF; 100V
  
  型号：DME1W2P2K-F
  仓库库存编号：70189736
  
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Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 2  International Rectifier Number of Elements per Chip 2  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 2   Number of Pins 5  International Rectifier Number of Pins 5  MOSFET Transistors Number of Pins 5  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 5   Package Type TO-220 Full-Pak  International Rectifier Package Type TO-220 Full-Pak  MOSFET Transistors Package Type TO-220 Full-Pak  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220 Full-Pak   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 18 W  International Rectifier Power Dissipation 18 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 18 W  International 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Transconductance, Forward 11 S  International Rectifier Transconductance, Forward 11 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 11 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 11 S   Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V   Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.83mm)