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IRFL014NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.16Ohm; ID 1.9A; SOT-223; PD 2.1W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFL014NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFL014NPBF
仓库库存编号：
70017244
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFL014NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET up to 7A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFL014NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  190 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  2.7 A  
  Dimensions  6.70 x 3.70 x 1.45 mm  
  Gate Charge, Total  7 nC  
  Height  0.057" (1.45mm)  
  Length  0.263" (6.7mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  SOT-223  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  2.1 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.16 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +150 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +150 °C  
  Time, Turn-Off Delay  12 ns  
  Time, Turn-On Delay  6.6 ns  
  Transconductance, Forward  1.6 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  7 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.146" (3.7mm)  
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Rectifier Current, Drain 2.7 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.7 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.7 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 7 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 7 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 7 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 7 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET 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