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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	400 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	4 A
Dimensions	6.70 x 3.70 x 1.45 mm
Gate Charge, Total	18.3 nC
Height	0.057" (1.45mm)
Length	0.263" (6.7mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SOT-223
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.1 W
Resistance, Drain to Source On	0.075 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	22.2 ns
Time, Turn-On Delay	8.1 ns
Transconductance, Forward	3 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 18.3 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Voltage, Drain to Source	55 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.146" (3.7mm)
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 400 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 400 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 400 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 400 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 4 A  International Rectifier Current, Drain 4 A  MOSFET Transistors Current, Drain 4 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 4 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 18.3 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 18.3 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 18.3 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 18.3 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier Power Dissipation 2.1 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W  International 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Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 22.2 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 22.2 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 22.2 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 22.2 ns   Time, Turn-On Delay 8.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 8.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 8.1 ns   Transconductance, Forward 3 S  International Rectifier Transconductance, Forward 3 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 3 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 18.3 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier Width 0.146" (3.7mm)  MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)