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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	330 pF @ 25V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	2.2 A
Dimensions	6.70 x 3.70 x 1.45 mm
Gate Charge, Total	17 nC
Height	0.057" (1.45mm)
Length	0.263" (6.7mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SOT-223
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.1 W
Resistance, Drain to Source On	0.2 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	34 ns
Time, Turn-On Delay	7.8 ns
Transconductance, Forward	1.5 S
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 10V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.146" (3.7mm)
关键词

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Rectifier Current, Drain 2.2 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.2 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.2 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 17 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 17 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier Power Dissipation 2.1 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W  International 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Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 34 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 34 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 34 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 34 ns   Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 7.8 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 7.8 ns   Transconductance, Forward 1.5 S  International Rectifier Transconductance, Forward 1.5 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1.5 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 1.5 S   Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 10V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 10V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 10V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC @ 10V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier Width 0.146" (3.7mm)  MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier MOSFET 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