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IRFP250NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.075Ohm; ID 30A; TO-247AC; PD 214W; VGS +/-20V

International Rectifier IRFP250NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFP250NPBF
仓库库存编号：
70017035
技术数据表：
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订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFP250NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFP250NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  2159 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  30 A  
  Dimensions  15.90 x 5.30 x 20.30 mm  
  Gate Charge, Total  123 nC  
  Height  0.799" (20.3mm)  
  Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-247AC  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  214 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.075 Ω  
  Resistance, Thermal, Junction to Case  0.7 °C/W  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  41 ns  
  Time, Turn-On Delay  14 ns  
  Transconductance, Forward  17 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 123 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
  Width  0.209" (5.3mm)  
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Drain 30 A  MOSFET Transistors Current, Drain 30 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 30 A   Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm   Gate Charge, Total 123 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 123 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 123 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 123 nC   Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier Height 0.799" (20.3mm)  MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 214 W  International Rectifier Power Dissipation 214 W  MOSFET Transistors Power 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Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 123 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 200 V   Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 200 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 200 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 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