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HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	2400 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	43 A
Dimensions	15.87 x 5.31 x 20.70 mm
Gate Charge, Total	200 nC
Height	0.815" (20.7mm)
Length	0.625" <5/8> (15.875mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Resistance, Drain to Source On	0.042 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.75 °C/W
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	71 ns
Time, Turn-On Delay	12 ns
Transconductance, Forward	19 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 200 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	150 V
Voltage, Drain to Source	150 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.209" (5.31mm)
关键词

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• 
  
• Molex Incorporated
  .049 pitch picoblade header, smt, ra 3 circuits
  
  型号：53261-0371
  仓库库存编号：70090690
  
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Drain 43 A  MOSFET Transistors Current, Drain 43 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 43 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 200 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 200 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 200 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 200 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.042 Ω   Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W  International Rectifier Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W  MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Thermal, Junction to Case 0.75 °C/W   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 71 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 71 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 71 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 71 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 ns   Transconductance, Forward 19 S  International Rectifier Transconductance, Forward 19 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 19 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 19 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 200 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 200 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 200 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 200 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 150 V   Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 150 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 150 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.31mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)