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N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	3000 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	57 A
Dimensions	15.90 x 5.30 x 20.30 mm
Gate Charge, Total	190 nC
Height	0.799" (20.3mm)
Length	0.625" <5/8> (15.875mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Resistance, Drain to Source On	0.025 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	58 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	20 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 190 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.209" (5.3mm)
关键词

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• International Rectifier
  IRG4PH50UDPBF, IGBT Transistor, 45 A 1200 V, 3-Pin TO-247AC
  
  型号：IRG4PH50UDPBF
  仓库库存编号：70017515
  
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• Bussmann by Eaton
  Fuse; Cylinder; Fast Acting; 10A; Sz 3AG; Dims 0.25x1.25"; Ceramic; Cartridge; Clip
  
  型号：ABC-10-R
  仓库库存编号：70149331
  
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• Eaton / Switches
  Switch, Gen. Purp., Mom., 3A@120VAC, 1A@250VAC, 1/10HP@120VAC, SPST, On-Mom.-Off
  
  型号：7835K11D
  仓库库存编号：70155762
  
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• Panasonic
  Battery; Non-Rechargeable; Coin/Button; Lithium Manganese Dioxide; 3VDC; 225mAh; CR
  
  型号：CR2032
  仓库库存编号：70197035
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 3000 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 3000 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 3000 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 3000 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 57 A  International Rectifier Current, Drain 57 A  MOSFET Transistors Current, Drain 57 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 57 A   Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.90 x 5.30 x 20.30 mm   Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 190 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC   Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier Height 0.799" (20.3mm)  MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.799" (20.3mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 200 W  International Rectifier Power Dissipation 200 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 200 W   Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.025 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 58 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 58 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 58 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 58 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 20 S  International Rectifier Transconductance, Forward 20 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 20 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 20 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 190 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 190 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 190 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 190 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.3mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.3mm)