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IRFP4004PBF - 

MOSFET, N Ch., 40V, 350A, 1.7 MOHM, 220NC QG, TO-247AC, Pb-Free

International Rectifier IRFP4004PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFP4004PBF
仓库库存编号:
70017922
技术数据表:
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IRFP4004PBF产品概述

Applications:
  • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
  • Uninterruptible Power Supply
  • High Speed Power Switching
  • Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits:
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced Body Diode dV/dt and dI/dt Capability
  • IRFP4004PBF产品信息

      Brand/Series  HEXFET Series  
      Capacitance, Input  8920 pF @ 25 V  
      Channel Mode  Enhancement  
      Channel Type  N  
      Configuration  Single  
      Current, Drain  350 A  
      Dimensions  15.87 x 5.31 x 20.70 mm  
      Gate Charge, Total  190 nC  
      Height  0.815" (20.7mm)  
      Length  0.625" <5/8> (15.875mm)  
      Mounting Type  Through Hole  
      Number of Elements per Chip  1  
      Number of Pins  3  
      Package Type  TO-247AC  
      Polarization  N-Channel  
      Power Dissipation  380 W  
      Resistance, Drain to Source On  1.7 mΩ  
      Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
      Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
      Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
      Time, Turn-Off Delay  160 ns  
      Time, Turn-On Delay  59 ns  
      Transconductance, Forward  290 S  
      Typical Gate Charge @ Vgs  220 nC @ 10 V  
      Voltage, Breakdown, Drain to Source  40 V  
      Voltage, Drain to Source  40 V  
      Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
      Voltage, Gate to Source  ± 20 V  
      Width  0.209" (5.31mm)  
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Rectifier Current, Drain 350 A  MOSFET Transistors Current, Drain 350 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 350 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 190 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 190 nC   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 380 W  International Rectifier Power Dissipation 380 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 380 W   Resistance, Drain to Source On 1.7 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 1.7 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.7 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.7 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 160 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 160 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 160 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 160 ns   Time, Turn-On Delay 59 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 59 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 59 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 59 ns   Transconductance, Forward 290 S  International Rectifier Transconductance, Forward 290 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 290 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 290 S   Typical Gate Charge @ Vgs 220 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 220 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 220 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 220 nC @ 10 V   Voltage, 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(5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  
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