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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	19230 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	350 A
Dimensions	15.87 x 5.31 x 20.70 mm
Height	0.815" (20.7mm)
Length	0.625" <5/8> (15.875mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Power Dissipation	520 W
Resistance, Drain to Source On	1.85 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	170 ns
Time, Turn-On Delay	43 ns
Transconductance, Forward	650 S
Typical Gate Charge @ Vgs	275 nC @ 10 V
Voltage, Drain to Source	75 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.209" (5.31mm)
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• 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号
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• 操作

• 
  
• Altech Corp
  Relay; E-Mech; Sfty; 4 NO, 2 NC; Cur-Rtg 10A; Ctrl-V 24DC; Vol-Rtg 400/250AC/DC; 14 Pin
  
  型号：56.OA02.2442C
  仓库库存编号：70075403
  
• 
  
  
• 搜索

• 
  
• Altech Corp
  Socket, Relay; OA 5602 (Relay)
  
  型号：56.5602.02
  仓库库存编号：70075410
  
• 
  
  
• 搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 19230 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 19230 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 19230 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 19230 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 350 A  International Rectifier Current, Drain 350 A  MOSFET Transistors Current, Drain 350 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 350 A   Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.70 mm   Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier Height 0.815" (20.7mm)  MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.815" (20.7mm)   Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.625" <5/8> (15.875mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-247AC  International Rectifier Package Type TO-247AC  MOSFET Transistors Package Type TO-247AC  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-247AC   Power Dissipation 520 W  International Rectifier Power Dissipation 520 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 520 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 520 W   Resistance, Drain to Source On 1.85 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 1.85 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.85 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 1.85 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 170 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 170 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 170 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 170 ns   Time, Turn-On Delay 43 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 43 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 43 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 43 ns   Transconductance, Forward 650 S  International Rectifier Transconductance, Forward 650 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 650 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 650 S   Typical Gate Charge @ Vgs 275 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 275 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 275 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 275 nC @ 10 V   Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 75 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 75 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier Width 0.209" (5.31mm)  MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.209" (5.31mm)