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N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	370 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	17 A
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Gate Charge, Total	20 nC
Height	0.094" (2.39mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	45 W
Resistance, Drain to Source On	0.075 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	19 ns
Time, Turn-On Delay	4.9 ns
Transconductance, Forward	4.5 sec
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 20 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Voltage, Drain to Source	55 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.245" (6.22mm)
关键词

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• 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号
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• 操作

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• Amphenol Industrial
  connector comp, insert only, size 18, blueinsul, 6 #16 solder cup pin contact
  
  型号：97-18-12P
  仓库库存编号：70052523
  
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• General Semiconductor / Vishay
  Bridge Rectifier, Single-Phase; 10A , 600V , BU 4-Pin Inline Pkg., RoHS
  
  型号：BU1006A-E3/45
  仓库库存编号：70217413
  
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• General Semiconductor / Vishay
  Bridge Rectifier, Single-Phase; 10A , 600V , BU 4-Pin Inline Pkg., RoHS
  
  型号：BU1006A-E3/45
  仓库库存编号：70217413
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 370 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 370 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 370 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 370 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 17 A  International Rectifier Current, Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 20 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 20 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 20 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 20 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 45 W  International Rectifier Power Dissipation 45 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 45 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 45 W   Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.075 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 19 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 19 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 19 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 19 ns   Time, Turn-On Delay 4.9 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 4.9 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4.9 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 4.9 ns   Transconductance, Forward 4.5 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 4.5 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 4.5 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 4.5 sec   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 20 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)