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IRFR024NPBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.075Ohm; ID 17A; D-Pak (TO-252AA); PD 45W

International Rectifier IRFR024NPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFR024NPBF
仓库库存编号:
70017235
技术数据表:
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IRFR024NPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFR024NPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  370 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  17 A  
  Dimensions  6.73 x 6.22 x 2.39 mm  
  Gate Charge, Total  20 nC  
  Height  0.094" (2.39mm)  
  Length  0.264" (6.73mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  DPAK  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  45 W  
  Resistance, Drain to Source On  0.075 Ω  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  19 ns  
  Time, Turn-On Delay  4.9 ns  
  Transconductance, Forward  4.5 sec  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 20 nC @ 10 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.245" (6.22mm)  
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Rectifier Current, Drain 17 A  MOSFET Transistors Current, Drain 17 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 17 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 20 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 20 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 20 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 20 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface 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