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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1150 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	43 A
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Gate Charge, Total	22 nC
Height	0.094" (2.39mm)
Length	0.264" (6.73mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	71 W
Resistance, Drain to Source On	15.8 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	49 ns
Time, Turn-On Delay	6.3 ns
Transconductance, Forward	41 S
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Voltage, Drain to Source	60 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.245" (6.22mm)
关键词

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Rectifier Current, Drain 43 A  MOSFET Transistors Current, Drain 43 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 43 A   Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 22 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 22 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 22 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 22 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier Length 0.264" (6.73mm)  MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.264" (6.73mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 71 W  International Rectifier Power Dissipation 71 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 71 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 71 W   Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 15.8 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 49 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 49 ns   Time, Turn-On Delay 6.3 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 6.3 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.3 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 6.3 ns   Transconductance, Forward 41 S  International Rectifier Transconductance, Forward 41 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 41 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 41 S   Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 22 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 60 V   Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 60 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 60 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier Width 0.245" (6.22mm)  MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.245" (6.22mm)