关于我们 | 联系我们

库存查询

P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1200 pF @ -25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	-31 A
Dimensions	10.41 x 6.73 x 2.39 mm
Gate Charge, Total	63 nC
Height	0.094" (2.39mm)
Length	0.409" (10.41mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	110 W
Resistance, Drain to Source On	0.065 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	39 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	8 S
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-55 V
Voltage, Drain to Source	-55 V
Voltage, Forward, Diode	-1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.265" (6.73mm)
关键词

• 参考图片
• 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号
• PDF
• 操作

• 
  
• RAF
  STANDOFF; 3/16 HEX MALE/FEMALE, 4-40 THREAD; STAINLESS STEEL; .500 LENGTH
  
  型号：4505-440-SS
  仓库库存编号：70006515
  
• 
  
  
• 搜索

• 
  
• Aim
  GLOWCORE NO-CLEAN FLUX CORE SOLDER, 63.37, DIA - .050
  
  型号：13211
  仓库库存编号：70054244
  
• 搜索

Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1200 pF @ -25 V  International Rectifier Capacitance, Input 1200 pF @ -25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1200 pF @ -25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1200 pF @ -25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type P  International Rectifier Channel Type P  MOSFET Transistors Channel Type P  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type P   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain -31 A  International Rectifier Current, Drain -31 A  MOSFET Transistors Current, Drain -31 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain -31 A   Dimensions 10.41 x 6.73 x 2.39 mm  International Rectifier Dimensions 10.41 x 6.73 x 2.39 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.41 x 6.73 x 2.39 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.41 x 6.73 x 2.39 mm   Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 63 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 63 nC   Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier Height 0.094" (2.39mm)  MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.094" (2.39mm)   Length 0.409" (10.41mm)  International Rectifier Length 0.409" (10.41mm)  MOSFET Transistors Length 0.409" (10.41mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.409" (10.41mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type DPAK  International Rectifier Package Type DPAK  MOSFET Transistors Package Type DPAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type DPAK   Polarization P-Channel  International Rectifier Polarization P-Channel  MOSFET Transistors Polarization P-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization P-Channel   Power Dissipation 110 W  International Rectifier Power Dissipation 110 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 110 W   Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.065 Ω   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 39 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 39 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 8 S  International Rectifier Transconductance, Forward 8 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 8 S   Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ -10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ -10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ -10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ -10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source -55 V   Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source -55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source -55 V   Voltage, Forward, Diode -1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode -1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode -1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.265" (6.73mm)  International Rectifier Width 0.265" (6.73mm)  MOSFET Transistors Width 0.265" (6.73mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.265" (6.73mm)