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IRFS4127PBF - 

IRFS4127PBF N-channel MOSFET Transistor, 72 A, 200 V, 3-Pin D2PAK

International Rectifier IRFS4127PBF
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制造商产品编号:
IRFS4127PBF
仓库库存编号:
70019188
技术数据表:
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IRFS4127PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5380 pF @ 50 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  72 A  
  Dimensions  10.67 x 9.65 x 4.83 mm  
  Height  0.19" (4.83mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Surface Mount  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  D2PAK  
  Power Dissipation  375 W  
  Resistance, Drain to Source On  22 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  56 ns  
  Time, Turn-On Delay  17 ns  
  Transconductance, Forward  79 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  100 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  200 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.38" (9.65mm)  
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Rectifier Current, Drain 72 A  MOSFET Transistors Current, Drain 72 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 72 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Power Dissipation 375 W  International Rectifier Power Dissipation 375 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 375 W   Resistance, Drain to Source On 22 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 22 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 22 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 22 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 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V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  
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