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N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	7670 pF @ 50 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Current, Drain	130 A
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Gate Charge, Total	170 nC
Height	0.19" (4.83mm)
Length	0.42" (10.67mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	300 W
Resistance, Drain to Source On	7 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	68 ns
Time, Turn-On Delay	26 ns
Transconductance, Forward	160 sec
Typical Gate Charge @ Vgs	170 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Voltage, Drain to Source	100 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	±20 V
Width	0.38" (9.65mm)
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• Ohmite
  Resistor; Carbon Composition; Res 27 Ohms; Pwr-Rtg 0.5 W; Tol 5%; Axial
  
  型号：OF270JE
  仓库库存编号：70022163
  
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• Ohmite
  Resistor; Ceramic Composition; Res 10 Ohms; Pwr-Rtg 1 W; Tol 10%; Axial; Silicone
  
  型号：OX100KE
  仓库库存编号：70022171
  
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• Ohmite
  Resistor; Carbon Composition; Res 4.7 Ohms; Pwr-Rtg 0.5 W; Tol 5%; Axial
  
  型号：OF47GJE
  仓库库存编号：70022885
  
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• Ohmite
  Resistor; Ceramic Composition; Res 180 Ohms; Pwr-Rtg 1 W; Tol 10%; Axial; Silicone
  
  型号：OX181KE
  仓库库存编号：70024442
  
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• VCC (Visual Communications Company)
  LED SUPER RED CLEAR 0805 SMD
  
  型号：CMD17-21SRC/TR8
  仓库库存编号：70130081
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 7670 pF @ 50 V  International Rectifier Capacitance, Input 7670 pF @ 50 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 7670 pF @ 50 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 7670 pF @ 50 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Dual Drain  International Rectifier Configuration Dual Drain  MOSFET Transistors Configuration Dual Drain  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Dual Drain   Current, Drain 130 A  International Rectifier Current, Drain 130 A  MOSFET Transistors Current, Drain 130 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 130 A   Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83 mm   Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 170 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 170 nC   Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier Height 0.19" (4.83mm)  MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.19" (4.83mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type D2PAK  International Rectifier Package Type D2PAK  MOSFET Transistors Package Type D2PAK  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type D2PAK   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 300 W  International Rectifier Power Dissipation 300 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 300 W  International Rectifier MOSFET 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Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 68 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 68 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 68 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 68 ns   Time, Turn-On Delay 26 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 26 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 26 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 26 ns   Transconductance, Forward 160 sec  International Rectifier Transconductance, Forward 160 sec  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 sec  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 160 sec   Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 170 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 100 V   Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 100 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 100 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±20 V   Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Width 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.38" (9.65mm)