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IRFZ44NLPBF - 

IRFZ44NLPBF N-channel MOSFET Transistor, 49 A, 55 V, 3-Pin TO-262

International Rectifier IRFZ44NLPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRFZ44NLPBF
仓库库存编号:
70018393
技术数据表:
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IRFZ44NLPBF产品概述

N-Channel Power MOSFET 40A to 49A, Infineon
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRFZ44NLPBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  1470 pF @ 25 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Dual Drain  
  Current, Drain  49 A  
  Dimensions  10.67 x 4.83 x 9.65 mm  
  Height  0.38" (9.65mm)  
  Length  0.42" (10.67mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-262  
  Power Dissipation  94 W  
  Resistance, Drain to Source On  17.5 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  44 ns  
  Time, Turn-On Delay  12 ns  
  Transconductance, Forward  19 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  Maximum of 63 nC @ 10 V  
  Voltage, Drain to Source  55 V  
  Voltage, Forward, Diode  1.3 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.83mm)  
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Rectifier Current, Drain 49 A  MOSFET Transistors Current, Drain 49 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 49 A   Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm  International Rectifier Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.67 x 4.83 x 9.65 mm   Height 0.38" (9.65mm)  International Rectifier Height 0.38" (9.65mm)  MOSFET Transistors Height 0.38" (9.65mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.38" (9.65mm)   Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier Length 0.42" (10.67mm)  MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.42" (10.67mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-262  International Rectifier Package Type TO-262  MOSFET Transistors Package Type TO-262  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-262   Power Dissipation 94 W  International Rectifier Power Dissipation 94 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 94 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 94 W   Resistance, Drain to Source On 17.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 17.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 17.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 17.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 44 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 44 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 44 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 44 ns   Time, Turn-On Delay 12 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 12 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 12 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