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N-Channel Power MOSFET 50A to 59A, Infineon
Infineon's range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	1696 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	53 A
Dimensions	10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Gate Charge, Total	72 nC
Height	0.65" (16.51mm)
Length	0.419" (10.66mm)
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	107 W
Resistance, Drain to Source On	16.5 mΩ
Temperature, Operating, Maximum	+175 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay	52 ns
Time, Turn-On Delay	14 ns
Transconductance, Forward	19 S
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 72 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Voltage, Drain to Source	55 V
Voltage, Forward, Diode	1.3 V
Voltage, Gate to Source	± 20 V
Width	0.19" (4.82mm)
关键词

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• HVCA
  Rectifier, Schottky; DO-41; 0.550 V (Max.) (Drop)Forward; -65 to 150 C
  
  型号：1N5818
  仓库库存编号：70016042
  
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• Mill-Max
  Socket, DIP; 8Pins; Low Profile; Open; Solder Tail; 0.3In.; Beryllium Copper; Tin/Lead
  
  型号：110-99-308-41-001000
  仓库库存编号：70206319
  
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• General Semiconductor / Vishay
  1N5818-E3/54, Schottky Diode, 30V 1A, 2-Pin DO-204AL
  
  型号：1N5818-E3/54
  仓库库存编号：70217547
  
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• General Semiconductor / Vishay
  1N5818-E3/54, Schottky Diode, 30V 1A, 2-Pin DO-204AL
  
  型号：1N5818-E3/54
  仓库库存编号：70217547
  
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Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier Brand/Series HEXFET Series  MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series  International Rectifier MOSFET Transistors Brand/Series HEXFET Series   Capacitance, Input 1696 pF @ 25 V  International Rectifier Capacitance, Input 1696 pF @ 25 V  MOSFET Transistors Capacitance, Input 1696 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET Transistors Capacitance, Input 1696 pF @ 25 V   Channel Mode Enhancement  International Rectifier Channel Mode Enhancement  MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Mode Enhancement   Channel Type N  International Rectifier Channel Type N  MOSFET Transistors Channel Type N  International Rectifier MOSFET Transistors Channel Type N   Configuration Single  International Rectifier Configuration Single  MOSFET Transistors Configuration Single  International Rectifier MOSFET Transistors Configuration Single   Current, Drain 53 A  International Rectifier Current, Drain 53 A  MOSFET Transistors Current, Drain 53 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 53 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 16.51 mm   Gate Charge, Total 72 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 72 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 72 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 72 nC   Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier Height 0.65" (16.51mm)  MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.65" (16.51mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 107 W  International Rectifier Power Dissipation 107 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 107 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 107 W   Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 16.5 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C   Time, Turn-Off Delay 52 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 52 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 52 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 52 ns   Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 14 ns   Transconductance, Forward 19 S  International Rectifier Transconductance, Forward 19 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 19 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 19 S   Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 72 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 72 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 72 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs Maximum of 72 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1.3 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1.3 V   Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ± 20 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ± 20 V   Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier Width 0.19" (4.82mm)  MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.19" (4.82mm)