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IRL3713PBF - 

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.6Milliohms; ID 260A; TO-220AB; PD 330W; -55de

International Rectifier IRL3713PBF
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制造商产品编号：
IRL3713PBF
仓库库存编号：
70017434
技术数据表：
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IRL3713PBF产品信息

  Brand/Series  HEXFET Series  
  Capacitance, Input  5890 pF @ 15 V  
  Channel Mode  Enhancement  
  Channel Type  N  
  Configuration  Single  
  Current, Drain  260 A  
  Dimensions  10.66 x 4.82 x 9.02 mm  
  Gate Charge, Total  75 nC  
  Height  0.355" (9.02mm)  
  Length  0.419" (10.66mm)  
  Mounting Type  Through Hole  
  Number of Elements per Chip  1  
  Number of Pins  3  
  Package Type  TO-220AB  
  Polarization  N-Channel  
  Power Dissipation  330 W  
  Resistance, Drain to Source On  4 mΩ  
  Temperature, Operating, Maximum  +175 °C  
  Temperature, Operating, Minimum  -55 °C  
  Temperature, Operating, Range  -55 to +175 °C  
  Time, Turn-Off Delay  40 ns  
  Time, Turn-On Delay  16 ns  
  Transconductance, Forward  76 S  
  Typical Gate Charge @ Vgs  75 nC @ 4.5 V  
  Voltage, Breakdown, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Drain to Source  30 V  
  Voltage, Forward, Diode  0.8 V  
  Voltage, Gate to Source  ±20 V  
  Width  0.19" (4.82mm)  
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Drain 260 A  MOSFET Transistors Current, Drain 260 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 260 A   Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  International Rectifier Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 10.66 x 4.82 x 9.02 mm   Gate Charge, Total 75 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 75 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 75 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 75 nC   Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier Height 0.355" (9.02mm)  MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.355" (9.02mm)   Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier Length 0.419" (10.66mm)  MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.419" (10.66mm)   Mounting Type Through Hole  International Rectifier Mounting Type Through Hole  MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Through Hole   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type TO-220AB  International Rectifier Package Type TO-220AB  MOSFET Transistors Package Type TO-220AB  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type TO-220AB   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 330 W  International Rectifier Power Dissipation 330 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 330 W   Resistance, Drain to Source On 4 mΩ  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 4 mΩ  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4 mΩ  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 4 mΩ   Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +175 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +175 °C  International Rectifier MOSFET 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