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Brand/Series	HEXFET Series
Capacitance, Input	230 pF @ 25 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Current, Drain	2.8 A
Dimensions	6.70 x 3.70 x 1.45 mm
Gate Charge, Total	9.5 nC
Height	0.057" (1.45mm)
Length	0.263" (6.7mm)
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SOT-223
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.1 W
Resistance, Drain to Source On	0.28 Ω
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-55 °C
Temperature, Operating, Range	-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay	14 ns
Time, Turn-On Delay	5.1 ns
Transconductance, Forward	2.3 S
Typical Gate Charge @ Vgs	9.5 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Voltage, Drain to Source	55 V
Voltage, Forward, Diode	1 V
Voltage, Gate to Source	±16 V
Width	0.146" (3.7mm)
关键词

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Drain 2.8 A  MOSFET Transistors Current, Drain 2.8 A  International Rectifier MOSFET Transistors Current, Drain 2.8 A   Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm  International Rectifier MOSFET Transistors Dimensions 6.70 x 3.70 x 1.45 mm   Gate Charge, Total 9.5 nC  International Rectifier Gate Charge, Total 9.5 nC  MOSFET Transistors Gate Charge, Total 9.5 nC  International Rectifier MOSFET Transistors Gate Charge, Total 9.5 nC   Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier Height 0.057" (1.45mm)  MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Height 0.057" (1.45mm)   Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier Length 0.263" (6.7mm)  MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Length 0.263" (6.7mm)   Mounting Type Surface Mount  International Rectifier Mounting Type Surface Mount  MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount  International Rectifier MOSFET Transistors Mounting Type Surface Mount   Number of Elements per Chip 1  International Rectifier Number of Elements per Chip 1  MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Elements per Chip 1   Number of Pins 3  International Rectifier Number of Pins 3  MOSFET Transistors Number of Pins 3  International Rectifier MOSFET Transistors Number of Pins 3   Package Type SOT-223  International Rectifier Package Type SOT-223  MOSFET Transistors Package Type SOT-223  International Rectifier MOSFET Transistors Package Type SOT-223   Polarization N-Channel  International Rectifier Polarization N-Channel  MOSFET Transistors Polarization N-Channel  International Rectifier MOSFET Transistors Polarization N-Channel   Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier Power Dissipation 2.1 W  MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W  International Rectifier MOSFET Transistors Power Dissipation 2.1 W   Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω  International Rectifier Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω  MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω  International Rectifier MOSFET Transistors Resistance, Drain to Source On 0.28 Ω   Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Maximum +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Maximum +150 °C   Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Minimum -55 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Minimum -55 °C   Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C  International Rectifier MOSFET Transistors Temperature, Operating, Range -55 to +150 °C   Time, Turn-Off Delay 14 ns  International Rectifier Time, Turn-Off Delay 14 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 14 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-Off Delay 14 ns   Time, Turn-On Delay 5.1 ns  International Rectifier Time, Turn-On Delay 5.1 ns  MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.1 ns  International Rectifier MOSFET Transistors Time, Turn-On Delay 5.1 ns   Transconductance, Forward 2.3 S  International Rectifier Transconductance, Forward 2.3 S  MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.3 S  International Rectifier MOSFET Transistors Transconductance, Forward 2.3 S   Typical Gate Charge @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  International Rectifier Typical Gate Charge @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET Transistors Typical Gate Charge @ Vgs 9.5 nC @ 10 V   Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Breakdown, Drain to Source 55 V   Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier Voltage, Drain to Source 55 V  MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Drain to Source 55 V   Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier Voltage, Forward, Diode 1 V  MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Forward, Diode 1 V   Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier Voltage, Gate to Source ±16 V  MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V  International Rectifier MOSFET Transistors Voltage, Gate to Source ±16 V   Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier Width 0.146" (3.7mm)  MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)  International Rectifier MOSFET Transistors Width 0.146" (3.7mm)